技术细节

• Q @ Freq 1Mbit
• Материал оболочки Non-Volatile
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 85°C (TA)
• Диаметр - Внутренний 1.6V ~ 5.5V
• Функция - Освещение EEPROM
• Напряжение - VCCB 1 MHz
• Память EEPROM
• 4ms
• I2C
• 450 ns
• 128K x 8