技术细节

• Тип монтажа 200-TFBGA
• Количество витков Surface Mount
• Q @ Freq 4Gbit
• Материал оболочки Volatile
• Крутящий момент - Винт -25°C ~ 85°C (TC)
• Диаметр - Внутренний 1.06V ~ 1.17V
• Функция - Освещение SDRAM - Mobile LPDDR4
• Напряжение - VCCB 2.133 GHz
• Память DRAM
• Максимальное переменное напряжение 200-TFBGA (10x14.5)
• 18ns
• Parallel
• 3.5 ns
• 128M x 32
• Not Verified