技术细节

• 장착 유형 90-VFBGA
• 턴 수 Surface Mount
• Q @ 주파수 2Gbit
• 쉘 재료 Volatile
• 토크 - 나사 -25°C ~ 85°C (TA)
• 직경 - 내부 1.7V ~ 1.95V
• 기능 - 조명 SDRAM - Mobile LPDDR
• 전압 - VCCB 208 MHz
• 메모리 DRAM
• 최대 교류 전압 90-FBGA (8x13)
• 14.4ns
• Parallel
• 5 ns
• 64M x 32