技术细节

• 장착 유형 134-VFBGA
• 턴 수 Surface Mount
• Q @ 주파수 2Gbit
• 쉘 재료 Volatile
• 토크 - 나사 -40°C ~ 105°C (TC)
• 직경 - 내부 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
• 기능 - 조명 SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B
• 전압 - VCCB 400 MHz
• 메모리 DRAM
• 최대 교류 전압 134-VFBGA (10x11.5)
• 15ns
• HSUL_12
• 64M x 32
• Not Verified