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技术细节

  • 장착 유형 78-TFBGA
  • 턴 수 Surface Mount
  • Q @ 주파수 4Gbit
  • 쉘 재료 Volatile
  • 토크 - 나사 0°C ~ 95°C (TC)
  • 직경 - 내부 1.425V ~ 1.575V
  • 기능 - 조명 SDRAM - DDR3
  • 전압 - VCCB 800 MHz
  • 메모리 DRAM
  • 최대 교류 전압 78-TWBGA (8x10.5)
  • 15ns
  • Parallel
  • 20 ns
  • 512M x 8

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