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技术细节

  • 장착 유형 90-TFBGA
  • 턴 수 Surface Mount
  • Q @ 주파수 1Gbit
  • 쉘 재료 Volatile
  • 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C (TA)
  • 직경 - 내부 1.7V ~ 1.95V
  • 기능 - 조명 SDRAM - Mobile LPDDR
  • 전압 - VCCB 208 MHz
  • 메모리 DRAM
  • 최대 교류 전압 90-TFBGA (8x13)
  • 14.4ns
  • Parallel
  • 5 ns
  • 32M x 32

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