- 产品型号 K4B4G1646E-BYK000
- 品牌 Samsung Semiconductor
- RoHS Yes
- 描述 DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
- 分类 메모리
技术细节
- 장착 유형 96-TFBGA
- 턴 수 Surface Mount
- Q @ 주파수 4Gbit
- 쉘 재료 Volatile
- 토크 - 나사 0°C ~ 95°C
- 직경 - 내부 1.35V
- 전압 - VCCB 800 MHz
- 메모리 DRAM
- Parallel
- 256M x 16
- Not Verified
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