技术细节

• 장착 유형 54-TFBGA
• 턴 수 Surface Mount
• Q @ 주파수 256Mbit
• 쉘 재료 Volatile
• 토크 - 나사 -40°C ~ 85°C (TC)
• 직경 - 내부 1.7V ~ 1.95V
• 기능 - 조명 SDRAM - Mobile LPSDR
• 전압 - VCCB 133 MHz
• 메모리 DRAM
• 최대 교류 전압 54-VFBGA (8x9)
• 15ns
• LVCMOS
• 5.4 ns
• 16M x 16
• Not Verified