技术细节

• 実装タイプ 90-VFBGA
• 巻数 Surface Mount
• Q @ 周波数 2Gbit
• シェル材料 Volatile
• トルク - スクリュー -25°C ~ 85°C (TA)
• 直径 - 内部 1.7V ~ 1.95V
• 機能 - 照明 SDRAM - Mobile LPDDR
• 电压 - VCCB 208 MHz
• メモリ DRAM
• 最大AC電圧 90-FBGA (8x13)
• 14.4ns
• Parallel
• 5 ns
• 64M x 32