技术细节

• 実装タイプ 221-VFBGA
• 巻数 Surface Mount
• Q @ 周波数 4GByte (NAND), 4Gbit (LPDDR3 DRAM)
• シェル材料 Non-Volatile, Volatile
• トルク - スクリュー -25°C ~ 85°C
• 直径 - 内部 1.8V, 3.3V
• 機能 - 照明 FLASH - NAND, DRAM - LPDDR
• メモリ FLASH, RAM
• 最大AC電圧 221-VFBGA (13x11.5)
• eMMC 5.1 HS400 + LPDDR3
• Not Verified