- 产品型号 K4B4G1646E-BYK000
- 品牌 Samsung Semiconductor
- RoHS Yes
- 描述 DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
- 分类 メモリ
技术细节
- 実装タイプ 96-TFBGA
- 巻数 Surface Mount
- Q @ 周波数 4Gbit
- シェル材料 Volatile
- トルク - スクリュー 0°C ~ 95°C
- 直径 - 内部 1.35V
- 电压 - VCCB 800 MHz
- メモリ DRAM
- Parallel
- 256M x 16
- Not Verified
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