- 产品型号 IS43LQ16128A-062TBLI
- 品牌 ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- RoHS Yes
- 描述 IC DRAM 2GBIT LVSTL 200TFBGA
- 分类 Mémoire
-
PDF
库存:1634
技术细节
- Type de montage 200-TFBGA
- Nombre de Tours Surface Mount
- Q @ Fréquence 2Gbit
- Matériau de coque Volatile
- Couple de serrage - Vis -40°C ~ 95°C (TC)
- Diamètre intérieur 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- Fonction - Éclairage SDRAM - Mobile LPDDR4
- Tension - VCCB 1.6 GHz
- Mémoire DRAM
- Tension alternative maximale 200-TFBGA (10x14.5)
- LVSTL
- 128M x 16
- Not Verified
相关产品
IC DRAM 2GBIT LVSTL 200FBGA
库存: 118
2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4
库存: 0
IC DRAM 4GBIT LVSTL 200TFBGA
库存: 65
4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4
库存: 10
LPDDR4 2GB X16 3200MHZ CL22 10X1
库存: 2000
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
库存: 0
