- 产品型号 MT53E128M16D1DS-053 IT:A TR
- 品牌 Micron Technology
- RoHS No
- 描述 IC DRAM 2GBIT PAR 200WFBGA
- 分类 Mémoire
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库存:1500
技术细节
- Type de montage 200-WFBGA
- Nombre de Tours Surface Mount
- Q @ Fréquence 2Gbit
- Matériau de coque Volatile
- Couple de serrage - Vis -40°C ~ 95°C (TC)
- Diamètre intérieur 1.06V ~ 1.17V
- Fonction - Éclairage SDRAM - Mobile LPDDR4
- Tension - VCCB 1.866 GHz
- Mémoire DRAM
- Tension alternative maximale 200-WFBGA (10x14.5)
- Parallel
- 128M x 16
- Not Verified