- 产品型号 THGJFGT2T85BAIU
- 品牌 Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
- RoHS Yes
- 描述 512GB UFS V3.1
- 分类 Memoria
-
PDF
库存:1567
技术细节
- Tipo de Montaje 153-VFBGA
- Número de Vueltas Surface Mount
- Q @ Frec 4Tbit
- Material de la Cáscara Non-Volatile
- Torque - Tornillo -25°C ~ 85°C
- Diámetro - Interior 2.4V ~ 3.6V
- Función - Iluminación FLASH - NAND
- Voltaje - VCCB 1.16 GHz
- Memoria FLASH
- Voltaje máximo de CA 153-BGA (11.5x13)
- UFS 3.1
- 512G x 8